Article · Фундаментальные исследования · January 1, 2015

Ик-исследование ионно-синтезированных пленок карбида кремния на кремнии

К. Х. Нусупов, Н. Б. Бейсенханов, И. К. Бейсембетов, Б. К. Кенжалиев, Bekbolat Seitov, Dina I. Bakranova

Abstract

Настоящая статья посвящена исследованию влияния высокотемпературного изотермического отжига на процессы кристаллизации карбида кремния в кремнии, синтезированного имплантацией в кремний ионов углерода с энергиями 2,5 и 40 кэВ и дозами 3,85∙1016 и 2,5∙1017 см–2 соответственно. Методом инфракрасной спектроскопии показано, что изотермический отжиг длительностью менее 30 минут при температурах 1000 и 1070 °С не приводит к превалированию тетраэдрических Si–C-связей и формированию кристаллической структуры в слоях карбида кремния. Предположено, что распад кластеров на границах нанокристаллов происходит при резком увеличении амплитуды упругих колебаний атомов на границах как в результате случайных процессов передачи энергии при тепловых колебаниях решетки, так и при воздействии фононов, распространяющихся в нанокристалле при выделении энергии кристаллизации. Показано, что высокотемпературный отжиг в течение 30 минут более эффективен для кристаллизации слоя карбида кремния в сравнении с изотермическим отжигом при тех же величинах температуры и суммарной длительности отжига 30 минут.

Silicon Carbide Semiconductor TechnologiesDiamond and Carbon-based Materials ResearchSemiconductor materials and interfacessilicon carbideion implantationcarbon ion implantation

Ик-исследование ионно-синтезированных пленок карбида кремния на кремнии

Abstract

More by Dina Bakranova